Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Влияние напряжения на время пе...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами

Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 16-17
Главный автор: Верхолетов, Максим Георгиевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
детекторы ионизирующих излучений
переключатели фотоэлектрические
численные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008307
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008307
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

  • Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
    по: Верхолетов, Максим Георгиевич
  • Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения учебное пособие
    по: Болоздыня, Александр Иванович
    Публикация: (2012)
  • Актуальные вопросы физики полупроводниковых детекторов [сборник]
    Публикация: (1981)
  • Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения
    Публикация: (1981)
  • Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
    по: Щербаков, Иван Дмитриевич
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...