Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости десорбционного члена от толщины
В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в твёрдое. Рассматривается режим полной конденсации, реализуемый в методе молекулярно-лучевой э...
Published in: | Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 18-20 |
---|---|
Main Author: | Винарский, Владимир Петрович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008311 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Моделирование роста двумерной пленки
by: Винарский, Владимир Петрович -
Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич -
Самоформирующиеся трехмерные наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок
by: Принц, Виктор Яковлевич -
Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
by: Винарский, Владимир Петрович -
Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers
by: Hervieu, Yurij Yurevich