Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости десорбционного члена от толщины

Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости десорбционного члена от толщины

В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в твёрдое. Рассматривается режим полной конденсации, реализуемый в методе молекулярно-лучевой эпитакси...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 18-20
Главный автор:	Винарский, Владимир Петрович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	наноструктуры двумерные наноструктуры нульмерные молекулярно-лучевая эпитаксия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008311

Похожие документы

Моделирование роста двумерной пленки
по: Винарский, Владимир Петрович

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Самоформирующиеся трехмерные наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок
по: Принц, Виктор Яковлевич

Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
по: Винарский, Владимир Петрович

Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers
по: Hervieu, Yurij Yurevich

Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires
по: Filimonov, Sergey N.

On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires
по: Hervieu, Yurij Yurevich

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: Коллективная монография/
Публикация: (2004)

Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости поверхностной энергии от толщины
по: Винарский, Владимир Петрович

Light emission from CdHgTe–based nanostructures

Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Образование собственного оксида на поверхности (1000) GaSe
по: Воеводин, Владимир Иванович

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лозовой, Кирилл Александрович
Публикация: (2016)

Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)

Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем

Функциональные наноматериалы [учебное пособие для студентов старших курсов, обучающихся по специальности 020101 (011000) - Химия]
по: Елисеев, Андрей Анатольевич
Публикация: (2010)

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Физико-химические процессы синтеза наноразмерных объектов
Публикация: (2012)

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures

Поверхностные и собственно наноструктуры жидких, твердых и газообразных веществ
по: Шабалин, Леонид Иванович
Публикация: (2009)

Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
по: Nishizawa, Jun-ichi

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы

Наноструктуры и наноматериалы cинтез, свойства и применение
по: Гочжун Цао
Публикация: (2012)