|
|
|
|
| LEADER |
05330nam a2200469 c 4500 |
| 001 |
koha001008528 |
| 005 |
20241128121859.0 |
| 006 |
m o d |
| 007 |
cr | |
| 008 |
231024s2023 ru ado sb rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001008528
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 080 |
|
|
|a 537.533.73:548.25(075.8)
|
| 080 |
|
|
|a 538.975-022.532:538.971(075.8)
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии
|b учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
|c сост.: В. В. Дирко, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. Г. Коротаев ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т, Радиофизический факультет
|
| 260 |
|
|
|a Томск
|b [б. и.]
|c 2023
|
| 300 |
|
|
|a 50 с.
|b ил.
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a разные средства доступа
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: с. 50
|
| 520 |
3 |
|
|a Приведено описание установки по молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и германия, представлены этапы подготовки полупроводниковых пластин и проведения эпитаксии на установке «Катунь-100». Даны общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Метод позволяет in situ исследовать морфологию поверхности при эпитаксиальном росте. Подробно рассмотрены возможности использования метода ДБОЭ для определения скоростей роста эпитаксиального материала, для анализа особенностей осцилляций интенсивности дифракционных картин при изменении ориентации подложки. Описан анализ изменения поверхности при МЛЭ с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов. Учебное пособие содержит описание трех практических работ на установке «Катунь-100» с использованием метода ДБОЭ: измерение скорости роста эпитаксиального материала Si на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Si на подложке Si (100) в азимутальном направлении [100] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Ge на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.
|
| 653 |
|
|
|a эпитаксия молекулярно-лучевая, метод
|
| 653 |
|
|
|a пленки тонкие эпитаксиальные, получение
|
| 653 |
|
|
|a эпитаксиальный рост
|
| 653 |
|
|
|a пленки кристаллические, анализ морфологии поверхности
|
| 653 |
|
|
|a дифракция быстрых отраженных электронов, метод
|
| 653 |
|
|
|a кремниевые пластины-подложки, подготовка
|
| 653 |
|
|
|a материалы эпитаксиальные, скорость роста
|
| 653 |
|
|
|a молекулярные пучки атомов, конденсация
|
| 653 |
|
|
|a наногетероструктуры, факторы синтеза
|
| 655 |
|
4 |
|a учебные издания
|
| 700 |
1 |
|
|a Дирко, Владимир Владиславович
|4 com
|
| 700 |
1 |
|
|a Коханенко, Андрей Павлович
|4 com
|
| 700 |
1 |
|
|a Лозовой, Кирилл Александрович
|4 com
|
| 700 |
1 |
|
|a Коротаев, Александр Григорьевич
|4 com
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Радиофизический факультет.
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|h 537
|i П764
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008528
|
| 908 |
|
|
|a учебник
|
| 999 |
|
|
|c 1008528
|d 1008528
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 537_П764
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10005
|d 2024-05-27
|g 500.00
|o 537 П764
|p 13820001065150
|r 2024-05-27
|y 9
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 537_П764
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10030
|d 2024-05-27
|g 500.00
|o 537 П764
|p 13820001065151
|r 2024-05-27
|y 4
|
