Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов

Приведено описание установки по молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и германия, представлены этапы подготовки полупроводниковых пластин и проведения эпитаксии на установке «Катунь-100». Даны общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Мето...

Полное описание

Библиографическая информация
Соавтор:	Томский государственный университет Радиофизический факультет
Другие авторы:	Дирко, Владимир Владиславович (Компилятор), Коханенко, Андрей Павлович (Компилятор), Лозовой, Кирилл Александрович (Компилятор), Коротаев, Александр Григорьевич (Компилятор)
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 2023
Предметы:	эпитаксия молекулярно-лучевая, метод пленки тонкие эпитаксиальные, получение эпитаксиальный рост пленки кристаллические, анализ морфологии поверхности дифракция быстрых отраженных электронов, метод кремниевые пластины-подложки, подготовка материалы эпитаксиальные, скорость роста молекулярные пучки атомов, конденсация наногетероструктуры, факторы синтеза учебные издания
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008528

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008528

Internet

Похожие документы