|
|
|
|
| LEADER |
02887nab a2200385 c 4500 |
| 001 |
koha001009497 |
| 005 |
20241016174127.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
231113|2023 ru s c rus d |
| 024 |
7 |
|
|a 10.17223/00213411/66/9/1
|2 doi
|
| 035 |
|
|
|a koha001009497
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
|c А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух [и др.]
|
| 246 |
1 |
1 |
|a Numerical simulation of unipolar photo-sensitive barrier structures based on MBE n-HgCdTe
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 23 назв.
|
| 506 |
|
|
|a Ограниченный доступ
|
| 520 |
3 |
|
|a Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.
|
| 653 |
|
|
|a численное моделирование
|
| 653 |
|
|
|a барьерная структура
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a униполярная структура
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Григорьев, Денис Валерьевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Горн, Дмитрий Игоревич
|
| 700 |
1 |
|
|a Михайлов, Николай Николаевич
|c физик
|
| 700 |
1 |
|
|a Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2023
|g Т. 66, № 9. С. 5-16
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009497
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1009497
|d 1009497
|
