Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe - Войцеховский, Александр Васильевич; Григорьев, Денис Валерьевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Дворецкий, Сергей Алексеевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.