Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 9. С. 5-16 |
|---|---|
| Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009497 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне
- Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях
- Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review)
- Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса
- Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors
