Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда

Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрям...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Письма в журнал технической физики Т. 48, № 22. С. 24-27
Other Authors: Алмаев, Дмитрий Александрович, Алмаев, Алексей Викторович, Копьев, Виктор Васильевич, Николаев, Владимир Иванович, Печников, Алексей Игоревич, Степанов, Сергей Игоревич, Бойко, Михаил Евгеньевич, Бутенко, Павел Николаевич, Щеглов, Михаил Петрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009701
Description
Summary:Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.
Bibliography:Библиогр.: 16 назв.
ISSN:0320-0116