Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрям...
| Published in: | Письма в журнал технической физики Т. 48, № 22. С. 24-27 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009701 |
| Summary: | Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 16 назв. |
| ISSN: | 0320-0116 |
