Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрям...
| Опубликовано в: : | Письма в журнал технической физики Т. 48, № 22. С. 24-27 |
|---|---|
| Другие авторы: | Алмаев, Дмитрий Александрович, Алмаев, Алексей Викторович, Копьев, Виктор Васильевич, Николаев, Владимир Иванович, Печников, Алексей Игоревич, Степанов, Сергей Игоревич, Бойко, Михаил Евгеньевич, Бутенко, Павел Николаевич, Щеглов, Михаил Петрович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009701 |
Похожие документы
- Electrical conductive and photoelectrical properties of heterostructures based on gallium and chromium oxides with corundum structure
-
Исследования электропроводящих свойств оксида хрома со структурой корунда
по: Алмаев, Дмитрий Александрович -
Исследование электрических свойств пленок Ga2O3 и Cr2O3 со структурой корунда и гетероструктуры на их основе
по: Алмаев, Дмитрий Александрович -
Синтез и физико-химические свойства Cr2O3 правильной сферической формы
по: Рогачева, Анастасия Олеговна - Oxygen sensors based on gallium oxide thin films with addition of chromium
