Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку - Алмаев, Дмитрий Александрович; Алмаев, Алексей Викторович; Николаев, Владимир Иванович; Бутенко, Павел Николаевич; Щеглов, Михаил Петрович; Чикиряка, Андрей Викторович; Печников, Алексей Игоревич (Физика и техника полупроводников)
Исследовано влияние H2, NH3, CO и O2 на электропроводящие свойства пленок In2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200-550oC пленки In2O3 демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемость циклов. Наибольший отклик был получен при воздействии NH3, который при температуре 400oС и концентрации газа 1000 млн-1 превысил 33 отн.ед. Предложен качественный механизм газовой чувствительности пленок In2O3. Полученные газочувствительные характеристики сопоставлены с известными сенсорами NH3 на основе различных материалов. Показано, что метод хлоридной газофазной эпитаксии позволяет получать пленки оксида индия с высокой газовой чувствительностью.