Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Bibliographic Details
Main Author:	Петрова, Юлианна Сергеевна
Corporate Author:	Томский государственный университет
Format:	eBook
Language:	Russian
Published:	Томск [б. и.] 2024
Subjects:	Физика полупроводников авторефераты диссертаций
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001129918 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Цымбалов, Александр Вячеславович
Published: (2025)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Петрова, Юлианна Сергеевна
Published: (2022)

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Цымбалов, Александр Вячеславович
Published: (2024)

Исследование физико-химических свойств пленок оксида алюминия, полученных методом селективного окисления гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs
by: Баютова, О. Р.

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
by: Оскомова, Н. В.

Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия
by: Петрова, Юлианна Сергеевна

Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением

Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии

Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs

Адсорбция кремния на поверхности (110) GaAs
by: Абрамов, Б. А.

Самокаталитический рост планарных нанопроволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Спирина, Анна Александровна
Published: (2023)

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Деформационные потенциалы в сверхрешетке (AIAs)1(GaAs)3
by: Никитина, Лариса Николаевна

Fluorine and oxygen adsorption and their coadsorption on the (111) surface of InAs and GaAs

Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction

Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением

Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10.
by: Сумец, Максим Петрович
Published: (1999)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Верхолетов, Максим Георгиевич
Published: (2023)

Диффузия Fe в GaAs при давлении диссоциации
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
by: Нетудыхатко, А. В.

Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом
by: Пономарев, Иван Викторович

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Исследование шумов в детекторах на основе GaAs компенсированного хромом
by: Шатров, А. Н.

Электронная энергетическая структура кластеров мышьяка в GaAs
by: Софронов, А. А.

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
by: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Влияние водорода на электрические характеристики контактов Pd-GaAs
by: Димеев, А. А.

Построение графической модели излома элементарной ступени на поверхности GaAs (111)
by: Бурмистрова, В. А.

Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)

Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления
by: Девицкий, Олег Васильевич

Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Сачков, Виктор Анатольевич
Published: (2011)

Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа

Компьютерное графическое моделирование излома элементарной ступени на поверхности GaAs(100)
by: Шилова, Т. А.

Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Филатов, Павел Александрович
Published: (2008)

Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
by: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n
by: Прыкина, Елена Николаевна

Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs

Исследование методом атомно-силовой микроскопии влияния технологических обработок на состояние поверхности GaAs (100)
by: Тюхрин, Т. С.

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Исследование коэффициента поглощения рентгеновского излучения в GaAs
by: Климанов, Р. А.