Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Библиографическая информация
Главный автор:	Петрова, Юлианна Сергеевна
Соавтор:	Томский государственный университет
Другие авторы:	Калыгина, Вера Михайловна (Thesis advisor)
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 2022
Предметы:	физика полупроводников. диссертации пленки оксида галлия, свойства пленки оксида галлия, морфология поверхности пленки оксида галлия, структура пленки оксида галлия, фазовый состав пленки оксида галлия, оптические свойства фотодиоды дальнего УФ-излучения рентгеновский дифракционный анализ оксид галлия-арсенид галлия, фотоэлектрические характеристики пленки оксида галлия, выращивание методом зондирования пленки оксида галлия, обработка в кислородной плазме арсенид галлия, концентрация электронов пластины арсенида галлия электрохимическое окисление анодирование МЦП-структуры вольт-амперная характеристика вольт-фарадная характеристика вязкостно-скоростная характеристика
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130044

Похожие документы

Исследование влияния процессов получения на свойства пленок Ga2O3
по: Таллер, Елена Викторовна

Properties of gallium oxide films obtained by HF-magnetron sputtering

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
по: Таллер, Елена Викторовна

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
по: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия
по: Петрова, Юлианна Сергеевна

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO2 монография
Публикация: (2024)

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
по: Чистоедова, Инна Анатольевна

Получение пленок на основе оксида титана(IV) с оксидом церия(IV) из пленкообразующих растворов
по: Федосов, Дмитрий Сергеевич

Арсенид галлия [cборник
Публикация: (1974)

Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия
по: Карлова, Гелия Федоровна

Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Тяжев, Антон Владимирович

Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
по: Nishizawa, Jun-ichi

Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов
по: Миттова, Ирина Яковлевна

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Окунев, В. Д.
Публикация: (1972)

Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
по: Маковский, Артем Александрович

Формирование свободных сверхтонких пленок GaAs и их применение в микромеханике
по: Принц, Виктор Яковлевич

Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пороховниченко, Лидия Петровна
Публикация: (1978)

Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Получение и свойства тонких поликристаллических пленок GaSb на неориентирующих подложках

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

Исследование структурных, оптических и электрических характеристик наночастиц ZnO, легированных FeO
по: Haj Ismail, A

Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Публикация: (1972)

Ядерное легирование и радиационное модифицирование арсенида галлия
по: Колин, Николай Георгиевич

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках

Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Публикация: (1978)

Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия

Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
по: Панин, Алексей Викторович

Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Люминесценция и электрические свойства окиси цинка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Коновалов, Г. А.
Публикация: (1951)