Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3

Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недо...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники Т. 26, № 2. С. 137-147
Other Authors: Щемеров, Иван Васильевич, Поляков, Александр Яковлевич, Алмаев, Алексей Викторович, Николаев, Владимир Иванович, Кобелева, Светлана Петровна, Васильев, Антон Андреевич, Кирилов, Виктор Дмитриевич, Кочкова, Анастасия Ильинична, Копьев, Виктор Васильевич, Куланчиков, Юрий Олегович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130071
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недостатков, которые в настоящее время препятствуют использованию данного материала в солнечно-слепых фотодетекторах, является аномально большое время нарастания и спада фотопроводимости, которое может достигать сотен секунд. Такая «замедленная» фотопроводимость существенно ограничивает область применения этих материалов. Проведены исследования природы этого эффекта. Выполнены измерения времени нарастания и спада фотоиндуцированного тока в диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной волны 259 и 530 нм. При засветке ультрафиолетовым излучением рост тока через фоточувствительную структуру из двух встречных диодов происходил в три этапа: достаточно быстрое нарастание с характерным временем 70 мс, медленный рост с характерным временем 40 с и затянутый спад с характерным временем порядка 300 с. При последующей засветке излучением зеленого цвета рост тока с характерным временем 130 и 40 с накладывался на стимулируемый засветкой медленный спад амплитуды максимального тока с характерным временем порядка 1500 с. Анализ релаксации тока показал наличие глубоких центров с энергией (EC - 0,17 эВ). Существенное замедление релаксации фотоиндуцированного тока можно связать с флуктуациями потенциала вблизи барьера Шотки.
Bibliography:Библиогр.: 27 назв.
ISSN:1609-3577