Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3

Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недо...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники Т. 26, № 2. С. 137-147
Other Authors: Щемеров, Иван Васильевич, Поляков, Александр Яковлевич, Алмаев, Алексей Викторович, Николаев, Владимир Иванович, Кобелева, Светлана Петровна, Васильев, Антон Андреевич, Кирилов, Виктор Дмитриевич, Кочкова, Анастасия Ильинична, Копьев, Виктор Васильевич, Куланчиков, Юрий Олегович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130071
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 05366nab a2200457 c 4500
001 koha001130071
005 20240410132106.0
007 cr |
008 240214|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17073/1609-3577-2023-2-137-147  |2 doi 
035 |a koha001130071 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3  |c И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев [и др.] 
246 1 1 |a Nature of the abnormally high photocurrent relaxation time in the α-Ga2O3-based Schottky diodes 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 27 назв. 
520 3 |a Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недостатков, которые в настоящее время препятствуют использованию данного материала в солнечно-слепых фотодетекторах, является аномально большое время нарастания и спада фотопроводимости, которое может достигать сотен секунд. Такая «замедленная» фотопроводимость существенно ограничивает область применения этих материалов. Проведены исследования природы этого эффекта. Выполнены измерения времени нарастания и спада фотоиндуцированного тока в диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной волны 259 и 530 нм. При засветке ультрафиолетовым излучением рост тока через фоточувствительную структуру из двух встречных диодов происходил в три этапа: достаточно быстрое нарастание с характерным временем 70 мс, медленный рост с характерным временем 40 с и затянутый спад с характерным временем порядка 300 с. При последующей засветке излучением зеленого цвета рост тока с характерным временем 130 и 40 с накладывался на стимулируемый засветкой медленный спад амплитуды максимального тока с характерным временем порядка 1500 с. Анализ релаксации тока показал наличие глубоких центров с энергией (EC - 0,17 эВ). Существенное замедление релаксации фотоиндуцированного тока можно связать с флуктуациями потенциала вблизи барьера Шотки. 
653 |a оксид галлия 
653 |a солнечно-слепые фотодетекторы 
653 |a фотопреобразователи ультрафиолетового излучения 
653 |a замедленный фотоэффект 
653 |a растянутые экспоненты 
655 4 |a статьи в журналах  |9 952027 
700 1 |a Щемеров, Иван Васильевич  |9 952026 
700 1 |a Поляков, Александр Яковлевич  |9 680126 
700 1 |a Алмаев, Алексей Викторович  |9 94842 
700 1 |a Николаев, Владимир Иванович  |9 426898 
700 1 |a Кобелева, Светлана Петровна  |9 952031 
700 1 |a Васильев, Антон Андреевич  |9 952032 
700 1 |a Кирилов, Виктор Дмитриевич  |9 952033 
700 1 |a Кочкова, Анастасия Ильинична  |9 952034 
700 1 |a Копьев, Виктор Васильевич  |9 92396 
700 1 |a Куланчиков, Юрий Олегович  |9 952036 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники  |d 2023  |g Т. 26, № 2. С. 137-147  |x 1609-3577  |w 0031-34060 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130071 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1130071 
908 |a статья 
039 |b 100 
999 |c 1130071  |d 1130071