Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3
Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недо...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники Т. 26, № 2. С. 137-147 |
|---|---|
| Other Authors: | Щемеров, Иван Васильевич, Поляков, Александр Яковлевич, Алмаев, Алексей Викторович, Николаев, Владимир Иванович, Кобелева, Светлана Петровна, Васильев, Антон Андреевич, Кирилов, Виктор Дмитриевич, Кочкова, Анастасия Ильинична, Копьев, Виктор Васильевич, Куланчиков, Юрий Олегович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130071 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity
- Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
- Influence of electrodes on the parameters of solar-blind detectors of UV radiation
- Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием
-
Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия
by: Петрова, Юлианна Сергеевна
