Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AlAs(001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами - Караваев, Геннадий Федорович (Известия высших учебных заведений. Физика)
В рамках упрощенных моделей резкой и «плавной» гетерограниц рассмотрены связанные с Г- и Xz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AlAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели «плавной» границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон.