Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AlAs(001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами
В рамках упрощенных моделей резкой и «плавной» гетерограниц рассмотрены связанные с Г- и Xz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AlAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано,...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 1. С. 45-54 |
|---|---|
| Главный автор: | Караваев, Геннадий Федорович |
| Другие авторы: | Гриняев, Сергей Николаевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130247 |
Похожие документы
-
Электронные энергетические спектры сверхрешеток GaAs/AlAs(001) в рамках моделей с резкой и плавной границами
по: Караваев, Геннадий Федорович -
Электронная структура и оптические свойства ультратонких сверхрешеток (GaAs)n(AlAs)m с гетерограницами (100), (110), (111) и (311)
по: Гриняев, Сергей Николаевич -
Междолинные деформационные потенциалы в сверхрешетках (AlAs)n (GaAs)m (001)
по: Никитина, Лариса Николаевна -
Минизонные спектры и оптические переходы в сверхрешетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n(110)
по: Караваев, Геннадий Федорович - Оптические свойства корругированных сверхрешеток GaAs/AlAs (311)
