| Summary: | Исследования магнитной восприимчивости (χ) кристаллов (3HgS)1–x(Al2S3)x (x = 0,5), легированных марганцем, проведенные методом Фарадея в интервале Т = 77–300 К и Н = 0,25–4 кЭ, показали, что особенности магнитных свойств могут быть обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn–S–Mn–S. На основе исследований кинетических коэффициентов кристаллов, проведенных в интервале Т = 77–300 К и Н = 0,5–5 кЭ, установлено что кристаллы проявляют n-тип проводимости, их электропроводность очень слабо зависит от температуры и имеет максимум, коэффициент Холла не зависит от температуры, а температурные зависимости подвижности имеют максимум. Из концентрационной зависимости эффективной массы электронов на уровне Ферми определена ширина запрещенной зоны, матричный элемент межзонного взаимодействия, эффективная масса электрона на дне зоны проводимости. На основе оптических исследований установлено наличие в кристаллах прямых межзонных оптических переходов и определена (при Т = 300 К) величина оптической запрещенной зоны.
|
|---|
