Моделирование электронных свойств кремниевых наночастиц с плотной атомной упаковкой
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных и транспортных характеристик кремниевых кластеров с плотной атомной упаковкой Si13 и кремниевых наночастиц, инкапсулированных атомами переходных металлов (Cu, Zn, Fe, Ni). Показано, что внешнее электрическое поле и величина...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 1. С. 70-75 |
|---|---|
| Главный автор: | Филиппов, Владимир Владимирович физик |
| Другие авторы: | Власов, Артур Николаевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130398 |
Похожие документы
-
Моделирование электронных свойств кремниевых нанотрубок
по: Филиппов, Владимир Владимирович физик - Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста
-
Физика квантовых низкоразмерных структур: монография/
по: Демиховский Валерий Яковлевич, et al.
Публикация: (2000) -
Газочувствительные элементы на основе кремниевых МОП-диодов
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021 -
Взаимодействие органических молекул с кремниевыми наноструктурами
по: Зайцев, Владимир Борисович
