Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика - Войцеховский, Александр Васильевич; Несмелов, Сергей Николаевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Варавин, Василий Семенович; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Сидоров, Юрий Георгиевич; Васильев, Владимир Васильевич физик; Якушев, Максим Витальевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов для систем HgCdTe–CdTe, HgCdTe–CdTe–SiO2–Si3N4, HgCdTe–CdTe–ZnTe. Показано, что сформированный in situ CdTe образует достаточно качественную границу раздела, а использование дополнительных слоев SiO2–Si3N4 и ZnTe предоставляет возможности управления электрической прочностью и зарядами в диэлектрике.