Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками

Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с т...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 16-20
Главный автор:	Войцеховский, Александр Васильевич
Другие авторы:	Леонов, Михаил Юрьевич, Шульга, Сергей Анатольевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	радиационные дефекты лазерное излучение импульсное полупроводники теллурид кадмия-ртути статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130681