Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками
Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с т...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 16-20 |
|---|---|
| Main Author: | Войцеховский, Александр Васильевич |
| Other Authors: | Леонов, Михаил Юрьевич, Шульга, Сергей Анатольевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130681 |
Similar Items
-
Исследование радиационных дефектов в КРТ электрофизическими методами
by: Мануйлов, А. Н. -
Особенности радиационного дефектообразования в КРТ при воздействии МИП
by: Григорьев, Денис Валерьевич - Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути
- Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation
- Радиационные эффекты в HgCdTe
