Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te

Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te

Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с пом...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 21-26
Other Authors: Саркисов, Сергей Юрьевич, Атучин, Виктор Валерьевич, Гаврилова, Татьяна Александровна, Кручинин, Владимир Николаевич, Березная, Светлана Александровна, Коротченко, Зоя Владимировна, Толбанов, Олег Петрович, Чернышов, Андрей Иванович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
выращивание кристаллов
эллипсометрия
селенид галлия
спектры поглощения
электронная микроскопия
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130682

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130682

Similar Items