Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te
Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с пом...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 21-26 |
|---|---|
| Other Authors: | Саркисов, Сергей Юрьевич, Атучин, Виктор Валерьевич, Гаврилова, Татьяна Александровна, Кручинин, Владимир Николаевич, Березная, Светлана Александровна, Коротченко, Зоя Владимировна, Толбанов, Олег Петрович, Чернышов, Андрей Иванович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130682 |
Similar Items
- Выращивание монокристаллов GaSe методом направленного градиента
-
Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на спектры оптического поглощения кристаллов GaSe
by: Редькин, Руслан Александрович - Characterization of Bridgman grown GaSe:Al crystals
- Optical properties of Te-doped GaSe cristal
- Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals
