Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te
Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с пом...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 21-26 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130682 |
