Влияние поверхностной и внутриобъемной анизотропии на доменные структуры в тонкой пластинке

Методом микромагнитного моделирования исследуется влияние поверхностной анизотропии типа «легкая плоскость» на доменные структуры в тонкой пластинке одноосного магнетика при различных значениях констант внутриобъемной анизотропии. Ось легкого намагничивания ориентирована ортогонально плоскости пласт...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 30-32
Главный автор: Шилинг, Галина Сергеевна
Другие авторы: Толстобров, Юрий Вениаминович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130685
LEADER 02689nab a2200313 c 4500
001 koha001130685
005 20240227173609.0
007 cr |
008 240226|2010 ru s c rus d
035 |a koha001130685 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Шилинг, Галина Сергеевна 
245 1 0 |a Влияние поверхностной и внутриобъемной анизотропии на доменные структуры в тонкой пластинке  |c Г. С. Шилинг, Ю. В. Толстобров 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 4 назв. 
520 3 |a Методом микромагнитного моделирования исследуется влияние поверхностной анизотропии типа «легкая плоскость» на доменные структуры в тонкой пластинке одноосного магнетика при различных значениях констант внутриобъемной анизотропии. Ось легкого намагничивания ориентирована ортогонально плоскости пластинки. Установлено, что при низкой и высокой внутриобъемной анизотропии «включение» поверхностной анизотропии не оказывает заметного влияния на поле намагниченности M. При некоторых промежуточных значениях констант внутриобъемной анизотропии «включение» поверхностной анизотропии может влиять как на структуру доменных границ, так и качественно изменять доменную структуру образца. 
653 |a микромагнитное моделирование 
653 |a поверхностная анизотропия 
653 |a внутриобъемная анизотропия 
653 |a поля намагниченности 
653 |a доменная структура 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Толстобров, Юрий Вениаминович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2010  |g Т. 53, № 4. С. 30-32  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130685 
908 |a статья 
999 |c 1130685  |d 1130685