О возможности сохранения наноструктурного состояния при получении объемного термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована структура термоэлектрического материала Bi2Sb1,5Te3. Изучена зависимость размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) от температуры отжига материала и давления прессования при компактировании нанопорошков....
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 3/2. С. 37-41 |
|---|---|
| Other Authors: | Бублик, Владимир Тимофеевич, Булат, Лев Петрович, Каратаев, Владимир Викторович, Марончук, Игорь Игоревич, Освенский, Владимир Борисович, Пивоваров, Геннадий Иванович, Пшенай-Северин, Дмитрий Александрович, Табачкова, Наталия Юрьевна |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001131987 |
Similar Items
- Indentation fracture toughness of single-crystal Bi2Te3 topological insulators
-
Исследование свойств поверхностных состояний и состояний краев запрещенной щели в топологическом изоляторе Bi2Te3
by: Швец, Игорь Анатольевич - Visualizing spin-dependent bulk scattering and breakdown of the linear dispersion relation in Bi2Te3
-
Quasiparticle band gap in the topological insulator Bi2Te3
by: Nechaev, Ilya A. - Lattice dynamics of bismuth tellurohalides
