Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Темновые токи nB(SL)n – структ...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений

Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 267-269
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
темновые токи
эпитаксиальные пленки
теоретические исследования
молекулярно-лучевая эпитаксия
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132611
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись
Описание
Библиография:Библиогр.: 8 назв.

Похожие документы

  • Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
  • Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения
  • Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe
  • Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
  • Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...