Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений

Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений

Bibliographic Details
Published in:	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 267-269
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	темновые токи эпитаксиальные пленки теоретические исследования молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132611

Similar Items

Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe

Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов

Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне

Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Радиационные эффекты в HgCdTe

Nano‑scale structural studies of defects in arsenic‑implanted n and p‑type HgCdTe films

Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM

Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis

Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Electro-physical characteristics of a HgCdTe epitaxial films upon exposure by a volume discharge in air at atmospheric pressure

Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
by: Денисов, Юрий Алексеевич
Published: (1998)

The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air

Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films

Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe

Вихревые токи в движущихся телах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Сычева, Т. М.
Published: (1951)

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films