High sensitivity low-temperature hydrogen sensors based on SnO2/κ(ε)-Ga2O3:Sn heterostructure

The structural and gas-sensitive properties of n-N SnO2/κ(ε)-Ga2O3:Sn heterostructures were investigated in detail for the first time. The κ(ε)-Ga2O3:Sn and SnO2 films were grown by the halide vapor phase epitaxy and the high-frequency magnetron sputtering, respectively. The gas sensor response and...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Chemosensors Vol. 11, № 6. P. 325 (1-15)
Другие авторы:	Almaev, Aleksei V., Yakovlev, Nikita N., Kopyev, Viktor V., Nikolaev, Vladimir I., Butenko, Pavel N., Deng, Jinxiang, Pechnikov, Aleksei I., Korusenko, Petr M., Koroleva, Aleksandra, Zhizhin, Evgeniy V.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	магнетронное распыление гетероструктуры газовые сенсоры статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132767