Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 187-188
Другие авторы:	Цымбалов, Александр Вячеславович, Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Алмаев, Алексей Викторович, Копьев, Виктор Васильевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	тонкие пленки оксида галлия фотоэлектрические характеристики экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132837

Похожие документы

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
по: Таллер, Елена Викторовна

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Photoelectrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures

Исследование влияния процессов получения на свойства пленок Ga2O3
по: Таллер, Елена Викторовна

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
по: Чистоедова, Инна Анатольевна

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si

Фотоэлектрические характеристики монокристаллов высокоомного GaAs

Photoelectrical characteristics of GaxOy-GaAs-structures

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
по: Панин, Алексей Викторович

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Исследование структурных, оптических и электрических характеристик наночастиц ZnO, легированных FeO
по: Haj Ismail, A

Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs

Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур

Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs
по: Киселева, Ольга Сергеевна

Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs

Исследование электрических свойств пленок Ga2O3 и Cr2O3 со структурой корунда и гетероструктуры на их основе
по: Алмаев, Дмитрий Александрович

Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов
по: Миттова, Ирина Яковлевна

Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия
по: Петрова, Юлианна Сергеевна

Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity

Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
по: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Свойства структур n-GaAs-Ga2O3
по: Вишникина, Вера Валерьевна

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Лупин, Владимир Михайлович
Публикация: (1974)

Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
по: Оскомова, Н. В.

Band alignment of Cd-free (Zn, Mg)O layer with Cu2ZnSn(S,Se)4 and its effect on the photovoltaic properties

Некоторые свойства гетеропереходов ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Кузнецов, М. Ф.
Публикация: (1969)

Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

Фотокаталитические свойства пленок на основе ZnO, полученных золь-гель методом
по: Монгуш, Евгения Эрес-Ооловна

Влияние термического отжига на свойства структур GaxOy/n-GaAs
по: Ремизова, Ирина Леонидовна