Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода

Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 159-160
Другие авторы:	Копьев, Виктор Васильевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Олейник, Владимир Леонидович, Скакунов, Максим Сергеевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	лазерные системы экспериментальные исследования лавинные S-диоды статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132846

Похожие документы

Физические основы работы лавинного S-диода

Application of laser module with driver based on avalanche S-diode for light-emitting diode structure characterization
по: Kopyev, Viktor V.

Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
по: Гальченко, Регина Аркадьевна

Исследование физических ограничений, влияющих на предельную мощность излучающего диода ИК-диапозона
по: Ханин, А. В.

Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Dead time duration and active reset influence on the afterpulse probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
по: Prudaev, Ilya A.

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe

Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche s-diodes based on GaAs

Диоды и их зарубежные аналоги Справочник: В 3 т.
по: Хрулев, Аркадий Квинтилианович
Публикация: (1998)

Основы волоконно-оптической связи пер. с англ.
Публикация: (1980)

Драйвер на основе лавинного S-диода для питания полупроводникового лазера
по: Копьев, Виктор Васильевич

S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов

Эффективный генератор шума на основе диода с накоплением заряда
по: Демьяненко, Александр Викторович

Импульсная накачка полупроводникового лазера с драйвером на основе лавинного S-диода
по: Копьев, Виктор Васильевич

Компьютерная лабораторная работа "Изучение работы лампового диода" [Аннотация статьи]
по: Толстик, Александр Михайлович

Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме/
по: Носов, Ю. Р. Юрий Романович
Публикация: (1968)

Вольтамперная характеристика диода в импульсном режиме
по: Лосев, Дмитрий Витальевич

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
по: Быков, Александр Геннадьевич

Оптоэлектроника: Пер. с фр./
по: Розеншер, Э., et al.
Публикация: (2004)

Оптоэлектроника: Пер. с фр./
по: Розеншер, Э., et al.
Публикация: (2006)

Применение материалов на основе полиметилметакрилата в лазерной технике
по: Боженко, Ольга Юрьевна

Физика полупроводниковых приборов
по: Лебедев, Александр Иванович
Публикация: (2008)

High-frequency trigger generators for CuBr-laser high voltage pumping source

Волоконно-оптические датчики. Вводный курс для инженеров и научных работников
Публикация: (2008)

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Анализ электрических характеристик многослойной структуры для диода Ганна
по: Данилов, К. Ю.

Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"]
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (2000)

Расчет релаксационных процессов фотоемкостного диода в области примесного поглощения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Ge/Si avalanche photodiodes dark current

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
по: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
Публикация: (2011)

Измерение мощности и частоты генерации диодов Ганна: Руководство к лабораторной работе по дисциплине "Приборы и устройства СВЧ" для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства"/
по: Башкиров, А. И., et al.
Публикация: (2002)

Фотодиоды учебное пособие
Публикация: (2008)

Измерение предельной частоты умножительных диодов: Руководство к лабораторной работе по дисциплине "Приборы и устройства СВЧ" для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства"/
по: Башкиров, А. И., et al.
Публикация: (2002)

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures

Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич