Физические основы работы лавинного S-диода

Физические основы работы лавинного S-диода

Bibliographic Details
Published in:	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 181
Other Authors:	Прудаев, Илья Анатольевич, Копьев, Виктор Васильевич, Олейник, Владимир Леонидович, Петрова, Юлианна Сергеевна
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	лавинные S-диоды арсенид галлия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132929

Similar Items

Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода

S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов

Естественное старение генераторных диодов Ганна
by: Шаповал, Леонид Григорьевич

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Верхолетов, Максим Георгиевич
Published: (2022)

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Окунев, В. Д.
Published: (1972)

Светоизлучающие диоды. Основные технические решения. Итоги
by: Вилисов, Анатолий Александрович

GaAs лавинный s-диод с управляющим электродом
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes
by: Ayzenshtat, G. I.

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
by: Диб, Хазем

Аномальная интенсивностная зависимость времени возгорания и затухания экситонной фотолюминесценции в высокочастотных слоях GaAs и прямозонных твердых растворов AlGaAs

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
by: Диб, Хазем

Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
Published: (2024)

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Published: (2016)

Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия
by: Карлова, Гелия Федоровна

Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома
by: Будницкий, Давыд Львович

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
by: Лукаш, Виталий Сергеевич

Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5

Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
by: Гущин, Сергей Михайлович

Application of laser module with driver based on avalanche S-diode for light-emitting diode structure characterization
by: Kopyev, Viktor V.

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Модель неоднородного фотоэлектрического преобразователя
by: Юрченко, Алексей Васильевич

Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии
by: Назарчук, Юлия Николаевна

Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
by: Гальченко, Регина Аркадьевна

Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович

Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе
by: Ардышев, Михаил Вячеславович

Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме/
by: Носов, Ю. Р. Юрий Романович
Published: (1968)

Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
by: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Published: (1978)

GaAs/InGaAs микро-, нанотрубки и перспективы их применения в микромеханике и биологии
by: Принц, Александр Викторович

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2

Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs
by: Киселева, Ольга Сергеевна

Исследование распределения напряженности поля в структурах арсенида галлия, легированного хромом, в зависимости от степени легирования
by: Васильева, Людмила Александровна

Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
by: Маковский, Артем Александрович

Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами

Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда