Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 34-39 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133295 |
| Summary: | В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1,3·107 см /c и существенно превышает значения этой скорости в объёмном арсениде галлия. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 10 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |