Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs

В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 34-39
Main Author: Айзенштат, Геннадий Исаакович
Other Authors: Божков, Владимир Григорьевич, Ющенко, Алексей Юрьевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133295
LEADER 02070nab a2200325 c 4500
001 koha001133295
005 20241209170310.0
007 cr |
008 240412|2010 ru s c rus d
035 |a koha001133295 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Айзенштат, Геннадий Исаакович 
245 1 0 |a Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs  |c Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 10 назв. 
520 3 |a В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1,3·107 см /c и существенно превышает значения этой скорости в объёмном арсениде галлия. 
653 |a квантовые ямы 
653 |a электронный газ двумерный 
653 |a гетероструктуры 
653 |a арсенид галлия 
653 |a дрейфовые скорости 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Божков, Владимир Григорьевич 
700 1 |a Ющенко, Алексей Юрьевич 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2010  |g Т. 53, № 9. С. 34-39  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133295 
908 |a статья 
999 |c 1133295  |d 1133295