Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs - Айзенштат, Геннадий Исаакович (Известия высших учебных заведений. Физика)
В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1,3·107 см /c и существенно превышает значения этой скорости в объёмном арсениде галлия.