Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1,55·107 до 1...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 34-39 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133295 |