Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальны...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 54-58
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Шульга, Сергей Анатольевич, Средин, Виктор Геннадиевич, Талипов, Нияз Хатимович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	ИК-излучение лазерное излучение импульсное тепловой нагрев эпитаксиальные слои статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133298