Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальны...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 54-58 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133298 |