Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией
Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5-1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 2. С. 100-102 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5-1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при выращивании. Величина проводимости исследованных образцов составила примерно 10^(-9) (Ом⋅см)^-1. Установлено, что концентрация хрома максимальна в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома в закрытой системе при Т = 1100 °С: она примерно в 2 раза превышает NCr в выращенном GaAs:Cr и достигает порядка 4⋅10^17 см^(-3). Высказано предположение об активации в процессе диффузии иных механизмов рекомбинации носителей заряда по сравнению с материалом, легированным хромом при выращивании, обеспечивающих возрастание времен жизни и высокую чувствительность диффузионного материала к воздействию ионизирующих излучений. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 9 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |