Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией

Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5-1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 2. С. 100-102
Other Authors: Будницкий, Давыд Львович, Новиков, Владимир Александрович, Толбанов, Олег Петрович, Яскевич, Тамара Михайловна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03270nab a2200349 c 4500
001 koha001133465
005 20240723104055.0
007 cr |
008 240416|2011 ru s c rus d
035 |a koha001133465 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией  |c Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 9 назв. 
520 3 |a Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5-1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при выращивании. Величина проводимости исследованных образцов составила примерно 10^(-9) (Ом⋅см)^-1. Установлено, что концентрация хрома максимальна в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома в закрытой системе при Т = 1100 °С: она примерно в 2 раза превышает NCr в выращенном GaAs:Cr и достигает порядка 4⋅10^17 см^(-3). Высказано предположение об активации в процессе диффузии иных механизмов рекомбинации носителей заряда по сравнению с материалом, легированным хромом при выращивании, обеспечивающих возрастание времен жизни и высокую чувствительность диффузионного материала к воздействию ионизирующих излучений. 
653 |a арсенид галлия 
653 |a диффузия 
653 |a хром 
653 |a спектры поглощения 
655 4 |a статьи в журналах  |9 957913 
700 1 |a Будницкий, Давыд Львович  |9 83614 
700 1 |a Новиков, Владимир Александрович  |9 78483 
700 1 |a Толбанов, Олег Петрович  |9 67379 
700 1 |a Яскевич, Тамара Михайловна  |9 89074 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2011  |g Т. 54, № 2. С. 100-102  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1133465 
908 |a статья 
999 |c 1133465  |d 1133465 
039 |b 100