|
|
|
|
| LEADER |
03051nab a2200325 c 4500 |
| 001 |
koha001133465 |
| 005 |
20240723104055.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240416|2011 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001133465
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией
|c Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 9 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при выращивании. Величина проводимости исследованных образцов составила примерно 10^(–9) (Ом⋅см)^–1. Установлено, что концентрация хрома максимальна в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома в закрытой системе при Т = 1100 °С: она примерно в 2 раза превышает NCr в выращенном GaAs:Cr и достигает порядка 4⋅10^17 см^(–3). Высказано предположение об активации в процессе диффузии иных механизмов рекомбинации носителей заряда по сравнению с материалом, легированным хромом при выращивании, обеспечивающих возрастание времен жизни и высокую чувствительность диффузионного материала к воздействию ионизирующих излучений.
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a диффузия
|
| 653 |
|
|
|a хром
|
| 653 |
|
|
|a спектры поглощения
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Будницкий, Давыд Львович
|
| 700 |
1 |
|
|a Новиков, Владимир Александрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Толбанов, Олег Петрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Яскевич, Тамара Михайловна
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2011
|g Т. 54, № 2. С. 100-102
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1133465
|d 1133465
|
