Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией
Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при вы...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 2. С. 100-102 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465 |