Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией

Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией

Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при вы...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 2. С. 100-102
Другие авторы:	Будницкий, Давыд Львович, Новиков, Владимир Александрович, Толбанов, Олег Петрович, Яскевич, Тамара Михайловна
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	арсенид галлия диффузия хром спектры поглощения статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133465

Похожие документы

Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома
по: Будницкий, Давыд Львович

Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе
по: Ардышев, Михаил Вячеславович

Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers

Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr

Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома

Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Прудаев, Илья Анатольевич
Публикация: (2009)

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Диффузия хрома в GaAs при низком давлении паров мышьяка

Численный анализ переноса фотоносителей в детекторных структурах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Трофимов, Михаил Сергеевич

Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip

Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
по: Будницкий, Давыд Львович
Публикация: (1986)

Chromium compensated gallium arsenide detectors for X-ray and γ-ray spectroscopic imaging

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения

Исследование диффузии хрома в арсениде галлия в потоке водорода
по: Прудаев, Илья Анатольевич

Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs

Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs

Влияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr
по: Будницкий, Давыд Львович

Electric field distribution in chromium compensated GaAs
по: Tyazhev, Anton V.

Исследование спектров оптического поглощения эпитаксиальных слоев твердого раствора In0.53 Ga0.47As
по: Гермогенов, Валерий Петрович

Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr
по: Мокеев, Дмитрий Юрьевич

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Фотопроводимость и спектры поглощения арсенида галия, облученного протонами с энергией 5 Мэв диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Редько, Всеволод Петрович 1937-
Публикация: (1971)

Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии
по: Гущин, Сергей Михайлович

Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Диффузное легирование GaAs примесью хлора
по: Хлудков, Станислав Степанович

Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
по: Кухто, О. Л