Самосогласованный расчет глубоких уровней Sn- и Se-вакансий в SnSe методом функции Грина

На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей самосогласованным образом рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в SnSe. Обсуждены происхождение, орбитальный состав электронных состояний в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в валентной зоне, а также в...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 15-19
Main Author: Джахангирли, Закир Агасолтан оглы
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133476
LEADER 01823nab a2200289 c 4500
001 koha001133476
005 20240418222804.0
007 cr |
008 240416|2011 ru s c rus d
035 |a koha001133476 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Джахангирли, Закир Агасолтан оглы 
245 1 0 |a Самосогласованный расчет глубоких уровней Sn- и Se-вакансий в SnSe методом функции Грина  |c З. А. Джахангирли 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 14 назв. 
520 3 |a На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей самосогласованным образом рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в SnSe. Обсуждены происхождение, орбитальный состав электронных состояний в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в валентной зоне, а также внесенное дефектом изменение электронной плотности. 
653 |a Грина функции 
653 |a точечные дефекты 
653 |a резонансы 
653 |a антирезонансы 
655 4 |a статьи в журналах 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2011  |g Т. 54, № 3. С. 15-19  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133476 
908 |a статья 
999 |c 1133476  |d 1133476