Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке
Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженн...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 25-31 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133479 |
| Итог: | Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженности электрического поля от глубины слоя материала при варьировании параметров электронного пучка, длительности облучения и потенциала на сетке вблизи поверхности образца. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 9 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |