Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке
Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженн...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 25-31 |
|---|---|
| Main Author: | Кортов, Всеволод Семенович |
| Other Authors: | Звонарев, Сергей Владимирович, Спиридонова, Татьяна Владимировна |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133479 |
Similar Items
-
Комбинированная модель поверхностного и объемного заряжения диэлектрической мишени электронами с энергией 10–30 кэВ
by: Зыков, Владимир Михайлович - Структурные изменения в сплавах системы Al–Cu–Mg при ионной бомбардировке и ударно-волновом нагружении
-
Вторичная электронная эмиссия/
by: Бронштейн, И. М. Иоганн Моисеевич, et al.
Published: (1969) -
Первопринципный расчет электронной структуры поверхности Mo(001)
by: Загорская, Любовь Юрьевна -
Компьютерное моделирование электронной структуры оксида и сульфида магния
by: Жауров, А. В.
