Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной волны излучения 405 нм при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции были получены при постоя...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 12. С. 126-136
Main Author: Бурмистров, Евгений Романович
Other Authors: Авакянц, Лев Павлович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133775
LEADER 03334nab a2200361 c 4500
001 koha001133775
005 20240925143359.0
007 cr |
008 240419|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/12/15  |2 doi 
035 |a koha001133775 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Бурмистров, Евгений Романович 
245 1 0 |a Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN  |c Е. Р. Бурмистров, Л. П. Авакянц 
246 1 1 |a Photo- and electroluminescence spectra of heterostructures with InxGa1–xN/GaN multiple quantum wells 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 23 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной волны излучения 405 нм при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции были получены при постоянном токе в диапазоне от 4 до 12 мА с шагом 2 мА. На основании численного самосогласованного решения уравнения Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны значения энергетических уровней и распределение плотности основных носителей заряда в одиночной КЯ InxGa1–xN/GaN. Результаты расчетов позволили связать максимумы в спектрах фото- и электролюминесценции с межзонными оптическими переходами основных носителей заряда в КЯ InGaN. Установлено, что наблюдаемые полосы в спектрах фотолюминесценции соответствуют фундаментальному переходу в КЯ InGaN между невозбужденными дырочными и электронными уровнями валентной зоны и зоны проводимости. 
653 |a гетероструктуры 
653 |a фотолюминесценция 
653 |a электролюминесценция 
653 |a квантовые ямы 
653 |a излучение 
653 |a электронный газ 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Авакянц, Лев Павлович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 12. С. 126-136  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133775 
908 |a статья 
999 |c 1133775  |d 1133775