Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN - Бурмистров, Евгений Романович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной волны излучения 405 нм при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции были получены при постоянном токе в диапазоне от 4 до 12 мА с шагом 2 мА. На основании численного самосогласованного решения уравнения Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны значения энергетических уровней и распределение плотности основных носителей заряда в одиночной КЯ InxGa1–xN/GaN. Результаты расчетов позволили связать максимумы в спектрах фото- и электролюминесценции с межзонными оптическими переходами основных носителей заряда в КЯ InGaN. Установлено, что наблюдаемые полосы в спектрах фотолюминесценции соответствуют фундаментальному переходу в КЯ InGaN между невозбужденными дырочными и электронными уровнями валентной зоны и зоны проводимости.