Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной волны излучения 405 нм при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции были получены при постоя...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 12. С. 126-136
Главный автор:	Бурмистров, Евгений Романович
Другие авторы:	Авакянц, Лев Павлович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	гетероструктуры фотолюминесценция электролюминесценция квантовые ямы излучение электронный газ статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133775

Похожие документы

Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06
по: Ермошин, Иван Геннадьевич
Публикация: (2009)

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Особенности фото- и электролюминесценции цинковых и магниевых комплексов

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
по: Копьев, Виктор Васильевич

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Томашевич, А. А. Александр Александрович
Публикация: (2023)

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Томашевич, А. А. Александр Александрович
Публикация: (2023)

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. специалист в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN
по: Брудный, Валентин Натанович

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Исследование электролюминесценции сополифлуоренов

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Исследование электролюминесценции металлоорганических комплексов с цинком
по: Одод, Алексей Владимирович

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
по: Бородулин, Захар Игоревич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1–xN (Y ≡ B, Al, In)
по: Литинский, Аркадий Овсеевич

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
по: Ри, Д. Д.

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
по: Бородулин, Захар Игоревич

Моделирование кинетики переходной электролюминесценции органических полупроводников на основе Alq3
по: Зятиков, Илья Александрович

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
по: Кузнецова, А. Н.